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IS66WVE4M16EBLL-70BLI
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PSRAM(伪静态) |
ISSI(美国芯成)
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TFBGA-48(6x8)
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1+ ￥28.38
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PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PS
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MB85RC04VPNF-G-JNERE1
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铁电存储器(FRAM) |
RAMXEED/FUJITSU(富士通)
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SOIC-8
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1+ ￥3.29
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4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V
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W956D8MBYA5I
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随机存取存储器(RAM) |
Winbond(华邦)
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TFBGA-24
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1+ ￥42.02
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特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率：200MHz。双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s
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H5AN8G6NDJR-XNC
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动态随机存取存储器(DRAM) |
HYNIX(海力士)
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1+ ￥253.65
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CY14B101NA-ZS45XIT
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nvSRAM(掉电保持) |
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
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TSOP-44
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1+ ￥129.8
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CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术
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KLM8G1GETF-B041
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eMMC |
SAMSUNG(三星半导体)
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FBGA-153(11.5x13)
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1+ ￥151.53
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eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成
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AT24C64-TD
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非易失性存储器(ROM) |
TDSEMIC(拓电半导体)
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SOP-8
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5+ ￥0.9676
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MKDV1GCL-ABA
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NAND FLASH |
MK(米客方德)
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LGA-8(6x8)
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1+ ￥15.01
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SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-AB升级款，广泛适配在各大MCU平台上；商业级新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、
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MT41K256M16TW-107 IT:P
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DDR SDRAM |
micron(镁光)
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FBGA-96
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1+ ￥51.15
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DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。
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W9825G6KH-6
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同步动态随机存取内存(SDRAM) |
Winbond(华邦)
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TSOP-54-10.2mm
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1+ ￥23.21
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W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置，适用于高性能应用。
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W25Q64JVSSIQ
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NOR FLASH |
Winbond(华邦)
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SOIC-8-208mil
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5+ ￥8.11
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IS62WV51216BLL-55TLI
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静态随机存取存储器(SRAM) |
ISSI(美国芯成)
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TSOP-44-10.2mm
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1+ ￥34.33
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8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V
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M24C64-RMN6TP
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EEPROM |
ST(意法半导体)
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SOIC-8
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5+ ￥0.7064
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64 Kbit串行I2C总线EEPROM
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NOJB226M010RWJ
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氧化铌电容 |
Kyocera AVX
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CASE-B-3528-21(mm)
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5+ ￥1.0844
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SLA3R8O2060813
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锂离子电容 |
Ymin(永铭)
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插件,P=3.5mm
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1+ ￥5.33
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特性：锂离子电容器,3.8V 1000 小时品,循环寿命 10 万次以上。良好的温度特性:温度 -20°C 可充电,+85°C 可放电,应用 -20°C~+85°C。大电流工作能力:持续充电 20C,
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PZB300MC11R30
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纸介质电容 |
KEMET(基美)
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插件
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1+ ￥19.94
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LHC105SA4K0042NWBX
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硅电容 |
launchip(朗矽)
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0204
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1+ ￥14.94
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硅电容器是以硅为衬底、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料为电介质,采用半导体芯片制造工艺制作而成的电容器。相比于陶瓷电容器(MLCC),具有小尺寸、薄厚度、低阻抗、高频低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点。硅
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6124B102K500NT
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排容 |
FH(风华)
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0612
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10+ ￥0.2913
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特性：节约空间:可以节省高达50%的PCB空间位置,提高装配密度。更高的体积比容:安装一块CA等于安装4块0603片容,减少安装次数,提高安装效率。降低成本:减少放置的次数;缩短生产时间;减少设备管理
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GA16V100M6X8
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固液混合铝电解电容器 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL8mm
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5+ ￥0.638115
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特性：105°C固液混合品105°C 2000 10000Hrs
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STC3ME30-T1
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可调电容 |
SEHWA(韩国世华)
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SMD,4.5x3.2mm
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1+ ￥2.93
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可变电容器
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JEC5R5V105L
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超级电容器 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,P=11.8mm
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1+ ￥3.94
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CC1H104MC1FD3F6C10MF
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直插瓷片电容 |
Dersonic(德尔创)
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插件,P=5.08mm
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50+ ￥0.11552
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半导体型陶瓷电容器是一种具有半导体特征的陶瓷电容器,其介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表征。该类电容器具有体积小、容量大的特点,适用于旁路和耦合等电子电路。
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CDV16FF222JO3F
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云母和PTFE电容 |
CDE
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1+ ￥48.95
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PA35V220M6x12
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固态电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL12mm
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5+ ￥0.933185
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特性：标准品。105°C 2000Hrs
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JVJ50V100M6x8
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贴片型铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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SMD,D6.3xL7.7mm
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5+ ￥0.43548
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特性：105°C 2000H标准品。适用于高密度表面安装。高稳定性和可靠性
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227EC0030
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螺栓型铝电解电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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螺栓,D64xL130mm
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1+ ￥131.214
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特性：长寿命、高可靠性,85°C条件下保证使用5000小时。RoHS合规
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KY1102M400VAC70Y10093
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安规电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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插件,P=10mm
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20+ ￥0.14402
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特性：温度特性的温度范围:-25°C~+85°C。工作温度范围:-25°C~+125°C。本体表面光洁,无损坏,印字清晰;引脚无氧化,无异物。通过CQC、UL、VDE认证。符合RoHS2.0、REAC
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RXA400V470M35X40
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牛角型电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D35xL40mm
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1+ ￥17.917
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特性：符合RoHS。105°C 2000小时系列适用于开关电源,伺服,变频器等工业品
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KP104J2J1006
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聚丙烯膜电容(CBB) |
KYET(科雅)
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插件,P=10mm
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10+ ￥0.2533
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容值 100nF 精度 ±5% 额定电压 630V 工作温度 -40℃~+100℃
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ERG25V100M6X7
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直插铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL7mm
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20+ ￥0.15808
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特性：负载寿命:105°C 2000 4000 小时。通过降低高频范围内的 ESR,实现了高纹波电流。符合 RoHS 标准
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CT4-0805B104K500F3
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直插独石电容(MLCC) |
FH(风华)
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插件,P=5.08mm
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10+ ￥0.1881
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特性：体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用：一般用途品
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TA6R3M150AR30
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钽电容 |
JIERR(捷而瑞)
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CASE-A-7343-19(mm)
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10+ ￥1.824
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特性：SMD贴片。105°C 2000Hrs
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MPE104J100V82CL0044
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薄膜电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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插件,P=5mm
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20+ ￥0.24757
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CL21X小型化精密金属化聚酯膜电容器
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CGA0603X7R104K500JT
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贴片电容(MLCC) |
HRE(芯声)
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0603
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100+ ￥0.0114
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100nF ±10% 50V
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CL05B104KO5NNNC
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贴片电容(MLCC) |
SAMSUNG(三星)
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0402
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100+ ￥0.007821
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容值 100nF 精度 ±10% 额定电压 16V 温度系数 X7R
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BAR63-02T
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PIN二极管 |
YONGYUTAI(永裕泰)
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SOD-523
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20+ ￥0.2359
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整流二极管
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