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G630-09-3T
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焊接插片端子 |
SAMZO(三佐)
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插件
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20+ ￥0.2303
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插片宽度 6.3mm 插片数量 1 焊脚数量 2 额定电流 20A
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R1.25-3
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圆形端子 |
JST
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-
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20+ ￥0.2289
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螺栓口直径 3.2mm 头部特征 圆环 尾部特征 贯通式 护套类型 无绝缘
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42100-2
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插片插簧端子 |
TE Connectivity(泰科电子)
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-
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10+ ￥0.242
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快速断开插孔，未绝缘，18 - 14 AWG，线径0.82 - 2.08 mm²，插片宽度6.35 mm [0.25 in]，F型压接，直型，黄铜材质，FASTIN - FASTON 250
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SC6-8
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窥口端子 |
JIDC(济德)
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-
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5+ ￥0.9442
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螺栓口直径 8.5mm 全长 26.4mm 头部宽度 11.8mm 尾部直径 3.9mm
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216-205
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管型端子 |
WAGO(万可)
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-
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5+ ￥0.5059
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冷压接头; 套管，适于2.08 mm2 / AWG 14; 绝缘; 电镀锡; 黄色
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1.25-YS3A
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叉型端子 |
JST
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-
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100+ ￥0.254
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-
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T44001
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PCB焊接端子 |
XFCN(兴飞)
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插件
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50+ ￥0.58349
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外观形状 插件型(带螺丝) 螺孔规格 M4 焊脚数量 4 焊脚间距(相邻) 5mm
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NOJB226M010RWJ
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氧化铌电容 |
Kyocera AVX
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CASE-B-3528-21(mm)
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5+ ￥1.0417
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容值 22uF 精度 ±20% 额定电压 10V 等效串联电阻(ESR) 1.8Ω@100kHz
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SLA3R8O2060813
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锂离子电容 |
Ymin(永铭)
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插件,P=3.5mm
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1+ ￥4.83
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特性：锂离子电容器,3.8V 1000 小时品,循环寿命 10 万次以上。良好的温度特性:温度 -20°C 可充电,+85°C 可放电,应用 -20°C~+85°C。大电流工作能力:持续充电 20C,
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PME261JC6100KR30
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纸介质电容 |
KEMET(基美)
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-
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1+ ￥11.38
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多层金属化纸,封装并注入自熄性材料,符合UL 94V 0要求。适用于直流和低频脉冲的一般应用。
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LHC204SA2K0047SWAX
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硅电容 |
launchip(朗矽)
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0201
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1+ ￥15.25
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硅电容器是以硅为衬底、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料为电介质,采用半导体芯片制造工艺制作而成的电容器。相比于陶瓷电容器(MLCC),具有小尺寸、薄厚度、低阻抗、高频低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点。硅
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FE2HX476M500LGL
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排容 |
PSA(信昌电陶)
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2220
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1+ ￥15.46
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X7R 50V 47UF ±20% 支架电容
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CGA0603X7R104K500JT
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贴片电容(MLCC) |
HRE(芯声)
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0603
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100+ ￥0.0119
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容值 100nF 精度 ±10% 额定电压 50V 温度系数 X7R
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GA16V100M6X8
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固液混合铝电解电容器 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL8mm
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5+ ￥0.7167
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特性：105°C固液混合品105°C 2000 10000Hrs
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STC3ME30-T1
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可调电容 |
SEHWA(韩国世华)
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SMD,4.5x3.2mm
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1+ ￥2.82
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静电容量 8pF~28.5pF 静电容量公差 0%~+50% 额定电压 100V 电荷量 250@1MHz
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JEC3R0V157N-2256
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超级电容器 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D22xL56mm
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1+ ￥34.27
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容值 150F 精度 -10%~+30% 额定电压 3V
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R06F1B222MN0B0S0N0
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直插瓷片电容 |
STE(松田)
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插件,P=5mm
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20+ ￥0.2237
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特性：宽电容范围:从100pF到100000pF。工作温度:-25°C至85°C。储存温度:15°C至35°C。高压圆盘陶瓷电容器具有承受更高电压的特性。应用：用于旁路和耦合电路。低损耗因数的电容器特
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CDV16FF222JO3F
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云母和PTFE电容 |
CDE
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-
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1+ ￥48.95
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容值 2.2nF 精度 ±5% 额定电压 1kV 工作温度 -55℃~+150℃
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MA35V100M6X8
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固态电容 |
JIERR(捷而瑞)
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SMD,D6.3xL7.7mm
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5+ ￥1.162895
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特性：SMD贴片。105°C 2000~10000Hrs
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JVJ25V220M6x8
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贴片型铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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SMD,D6.3xL7.7mm
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10+ ￥0.350645
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特性：105°C 2000H标准品。适用于高密度表面安装。高稳定性和可靠性
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227EC0030
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螺栓型铝电解电容 |
KNSCHA(科尼盛)
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螺栓,D64xL130mm
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1+ ￥131.214
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容值 3300uF 精度 ±20% 额定电压 450V 纹波电流 14.8A@120Hz
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MP2104K27C3X6LC
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安规电容 |
SRD(圣融达)
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插件,P=10mm
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20+ ￥0.211992
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变更升级前型号为MP2104KGC3XLC，变更详情请看变更联络函。
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RXA400V470M35X40
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牛角型电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D35xL40mm
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1+ ￥19.418
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特性：符合RoHS。105°C 2000小时系列适用于开关电源,伺服,变频器等工业品
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KP104J2J1006
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聚丙烯膜电容(CBB) |
KYET(科雅)
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插件,P=10mm
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10+ ￥0.2533
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容值 100nF 精度 ±5% 额定电压 630V 工作温度 -40℃~+100℃
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ERG25V100M6X7
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直插铝电解电容 |
JIERR(捷而瑞)
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插件,D6.3xL7mm
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20+ ￥0.16815
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特性：负载寿命:105°C 2000 4000 小时。通过降低高频范围内的 ESR,实现了高纹波电流。符合 RoHS 标准
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CT4-0805B104K500F3
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直插独石电容(MLCC) |
FH(风华)
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插件,P=5.08mm
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10+ ￥0.1881
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特性：体积小,容量大,适合自动安装的卷(编)带包装。环氧树脂封装,从而具有优良的防潮性能、机械强度及耐热性。工业生产标准尺寸及多种脚型产品。应用：一般用途品
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TA2R0M470AR09
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钽电容 |
JIERR(捷而瑞)
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CASE-A-7343-19(mm)
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10+ ￥2.28
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特性：SMD贴片。105°C 2000Hrs
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PE104J2A0501
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薄膜电容 |
KYET(科雅)
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插件,P=5mm
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20+ ￥0.255
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校正电容 黄壳编带 104J100V P=5
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CL10A106KP8NNNC
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贴片电容(MLCC) |
SAMSUNG(三星)
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0603
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500+ ￥0.02755
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容值 10uF 精度 ±10% 额定电压 10V 温度系数 X5R
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DS1972-F5+
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iButton纽扣状存储器 |
ADI(亚德诺)
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1+ ￥34.9932
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iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除
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GT30L32S4W
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字库芯片 |
GENITOP(高通)
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SOP-8-208mil
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1+ ￥6.16
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GT30L32S4W是一款包含12x12点阵、16x16点阵、24x24点阵和32x32点阵的汉字库芯片，支持GB2312汉字（含国家标委会授权）和ASCII字符。排列格式为横排和横式。用户可通过调用
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CSNP1GCR01-AOW
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存储器控制器 |
CS(创世)
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LGA-8(6x8)
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1+ ￥22.33
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SD NAND二代1Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.5~10万次擦写寿命,高可靠性,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.
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XT61M1G8C2TM-B8BEA
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多芯片封装存储器 |
XTX(芯天下)
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BGA-162(10.5x8)
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1+ ￥37.51
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1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)
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CY7C1480BV33-250BZI
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SSRAM(同步静态) |
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
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FBGA-165
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1+ ￥693.27
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CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同
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MA2H128CWHAQ
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UFS |
Metorage(星火半导体)
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BGA-153(11.5x13)
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1+ ￥429.8
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符合UFS 3.1标准接口。支持HS-Gear4 x 2通道。支持M-PHY 4.1版本。LS模式支持高达PWM-G4的速率（从3 Mbps到72 Mbps）
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EPCQ16ASI8N
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FPGA配置用存储器 |
Intel/Altera
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SOIC-8
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1+ ￥56.16
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存储容量 16Mbit 工作电压 2.7V~3.6V 工作温度 -40℃~+85℃
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